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Model 2651A

고 전력 시스템 소스 미터
(2000W 펄스 전력, 200W DC 전력,그리고 50A, pA 및 uA 분해능의 40V)

Model 2651A

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고전력 시스템 소스미터 SMU계측기
고전류 모델 2651A는 다이오드, FETs, 그리고 IGBT 등과 같은 물질 뿐만 아니라 질화갈륨(gallium nitride), 탄화수소(silicon carbide), 그리고 다른 반도체 합성물질이나 디바이스 등과 같이 더 새로운 물질을 포함하여 반도체 디바이스 파워 테스팅과 같은 어플리케이션에 사용할 수 있습니다. 
제품 주요 특징
  • 동급 최고의 저전류 분해능에서 최대 3kV 또는 50A 펄스 소싱 및 측정
  • 계측기당 최대 2000W 펄스 또는 200W DC 출력
  • 고출력 반도체, 전자장치 및 소재의 특성화 및 테스트에 최적화
  • TSP 및 TSP-Link 기술을 통해 메인프레임 기반 시스템의 채널 한계없이 SMU 핀 단위 패러럴(per-pin-parallel) 테스트 가능
  • 듀얼 디지타이징 A/D 컨버터가 최대 1 µs/point로 샘플링하여 전류 및 전압 파형을 동시에 특성화
모델별 주요 스펙 비교
모델 출력특성 4분원 소스 또는
싱크 기능
분해능 적용분야
2651A 최대 50A(또는 2개 장치에서 100A) 및 최대 2000W
펄스/200W DC 출력
최대 ±40V 및 ±50A 100fA/1µs 분해능 고전류, 고출력 디바이스 테스트
2657A 최대 3000V 및 최대 180W 출력 20mA에서 최대 3000V
또는 120mA에서 1500V
1fA/100µV 분해능 고전압, 고출력, 저전류
디바이스 테스트
어플리케이션 분야
  • Power semiconductor, HBL ED, and optical device characterization and testing
  • Solar cell characterization and testing
  • Characterization of GaN, SiC, and other compound materials and devices
  • Semiconductor junction temperature characterization
  • High speed, high precision digitization
  • Electromigration studies
  • High current, high power device testing
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